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场效应管工作原理视频

晶体管原理,教科书上确实讲得太复杂,读起来头疼。 让我们先从场效应管说起吧: 场效应管FET,用水龙头作比喻,还是比较贴切的。 水流,可比喻为电流; 拧开龙头,放水;关闭龙头,水即停止; 以耗尽型FET为例:它是一个导电沟道(纯粹的N型或P...

没有视频,有本《晶体管设计电路》下,是讲解场效应管的,很清楚,你可以看下。

原理:两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失。 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通。 ...

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,...

80N60C 只要耐压到600V ID80A的场效应管子都可以。 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声孝功耗低、...

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,...

原理:两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失。 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通 谢...

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属...

由于栅极电压被稳压管钳位,当流过场效应管的电流有增大的趋势时,负反馈电阻上的电压增加,使场效应管截止趋势增加,电流下降,反之亦然,使负载电阻电流保持恒定

现在越来越多的电子电路都在使用场效应管, 特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-...

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