clwn.net
当前位置:首页 >> igBt驱动电路图 >>

igBt驱动电路图

对于大功率IGBT,选择驱动电路基于以下的参数要求:器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小,对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响...

在三相电焊机中m57959l只能驱动一个IGBT。可以参考一下。

近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种高性能、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣,而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。在设计MOSFET和IGBT...

驱动芯片选型看应用场合 1.高边驱动还是低边驱动,还是高低边驱动 2.是否要隔离驱动 3.工作频率大小 4.IGBT的电压和电流大小 5.是否需要各种保护,或是死区之类的 按你的功能要求,驱动芯片的外围电路不会简单,首先你确认一下是否要隔离驱动,...

刚才有位仁兄说接个电阻,就是为了把这个电荷放掉。不能否认有这个作用,但是十几K的电阻相对于最大几十欧的IGBT门极关断电阻来说,放电效果是不明显的;所以这个十几K的电阻的设置明显不是针对这个情况设计的,在考虑对IGBT保护设计的时候,有...

单片机控制大功率器件电路隔离这一块比较重要 我推荐你使用百度搜索“IGBT驱动电路”看看网上常用的做法,神州直接使用DC-DC模块隔离。 这种电路自己去做一般都是比较麻烦的。如果可以的话,我推荐淘宝购一个单片机驱动IGBT的模块或者对应的芯片。

只要VCC和VEE的电压正确就不用担心A314J的VO端子输出电压不足(但事实上这个电路中VEE电压是0V)。C18 C19 是VCC和VEE的储能电容,D3 D4 是限制输出电压不高于VCC和不低于VEE的,R16 是驱动导通Q6 的限流电阻(阻值是根据IGBT的GE结电容大小和盲...

IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的 那么书上的结论如下: 1.GTO的驱动电路:分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种,直接耦合应用范围广,但是功耗大,效率低。给出的例子就是...

IGBT我记得好像不大清楚了,以下仅供参考:你这个实物IGBT实际上是集成了两个IGBT了,可以理解为两个IGBT串联起来了,所以有两个驱动接口,驱动电路驱动的实际上是IGBT的G和E,至于那个C极在三个大电极取一个,C极连接的其实是过电流保护。具体...

还真没见过这么大的IGBT。关断的瞬间续流二极管将流过很大的电流,引起发射极电位的抬高,如果驱动线联接点(主要是发射极端)距离发射极较远,或驱动电源的隔离不好或对地电容过大,有可能使电位反击到驱动芯片,引起驱动芯片击穿。幸好驱动芯...

网站首页 | 网站地图
All rights reserved Powered by www.clwn.net
copyright ©right 2010-2021。
内容来自网络,如有侵犯请联系客服。zhit325@qq.com